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5G战场必争,第三代半导体材料GaN全球技术松下住建分析报告

第三代半导体材料GaN全球技术分析报告氮化镓(GaN)是直接宽带隙半导体材料,属于第三代半导体,具备良好的导热率、抗辐射能力、击穿电场和电子饱和速率。其在微波射频领域的应用器件主要包括GaN高电子迁移率晶体管(HETM)和GaN单片微波集成电路(MMIC),均可用于通讯基站。随着5G的到来,目前通讯基站使用的砷化镓器件已无法满足在高频下保持高集成度。而GaN射频功率放大器所